casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT34F100B2
Número de pieza del fabricante | APT34F100B2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-APT34F100B2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT34F100B2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9835pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1135W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT34F100B2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT34F100B2-FT |
APT24M120L
Microsemi Corporation
APT56M60L
Microsemi Corporation
APT66M60L
Microsemi Corporation
APT37M100L
Microsemi Corporation
APT48M80L
Microsemi Corporation
APT56M50L
Microsemi Corporation
APT75M50L
Microsemi Corporation
APT6017LFLLG
Microsemi Corporation
APT22F120L
Microsemi Corporation
APT26F120L
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel