casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOWF20S60
Número de pieza del fabricante | AOWF20S60 |
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Número de parte futuro | FT-AOWF20S60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | aMOS™ |
AOWF20S60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1038pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 28W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF20S60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOWF20S60-FT |
DMP3105LVT-7
Diodes Incorporated
DMN1019UVT-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SVT-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SVTQ-13
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DMN10H220LVT-13
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DMN3026LVTQ-13
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DMN6040SVTQ-13
Diodes Incorporated
DMP2033UVT-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SVT-7
Diodes Incorporated
DMN6040SVT-7
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel