casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOWF11S65
Número de pieza del fabricante | AOWF11S65 |
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Número de parte futuro | FT-AOWF11S65 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | aMOS™ |
AOWF11S65 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 646pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 28W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF11S65 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOWF11S65-FT |
DMN10H170SVTQ-7
Diodes Incorporated
DMP3050LVT-7
Diodes Incorporated
DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
DMP3105LVT-7
Diodes Incorporated
DMN1019UVT-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SVT-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SVTQ-13
Diodes Incorporated
DMN10H220LVT-13
Diodes Incorporated
DMN3026LVTQ-13
Diodes Incorporated
DMN6040SVTQ-13
Diodes Incorporated
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel