casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AON6532P
Número de pieza del fabricante | AON6532P |
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Número de parte futuro | FT-AON6532P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON6532P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 710mV @ 1A |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1080pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6532P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AON6532P-FT |
AO4413_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO4423_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO4435L_101
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