casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO4413_101
Número de pieza del fabricante | AO4413_101 |
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Número de parte futuro | FT-AO4413_101 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO4413_101 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 15A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3500pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4413_101 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AO4413_101-FT |
2SK3466(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3483(0)-Z-E1-AY
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2SK3484(0)-Z-E1-AZ
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XCS20XL-4VQ100C
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A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
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EP4SGX230HF35C2
Intel