casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2SK3703-1EX
Número de pieza del fabricante | 2SK3703-1EX |
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Número de parte futuro | FT-2SK3703-1EX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK3703-1EX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F-3SG |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3703-1EX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SK3703-1EX-FT |
NVATS4A104PZT4G
ON Semiconductor
NVTR0202PLT1G
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SIHU3N50DA-GE3
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IXYS Integrated Circuits Division
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IXYS Integrated Circuits Division
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A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel