casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO3409L_102
Número de pieza del fabricante | AO3409L_102 |
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Número de parte futuro | FT-AO3409L_102 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO3409L_102 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 370pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3409L_102 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AO3409L_102-FT |
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