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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ)
- Número de pieza de MFG
- 2SJ668(TE16L1,NQ)
- Cantidad disponible
- 89330 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSIII MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf
2SJ668(TE16L1,NQ) Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-2SJ668(TE16L1,NQ) |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSIII |
| 2SJ668(TE16L1,NQ) Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 700pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 20W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PW-MOLD |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SJ668(TE16L1,NQ) Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | 2SJ668(TE16L1,NQ)-FT |
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