Número de pieza del fabricante | A430B |
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Número de parte futuro | FT-A430B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A430B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1000A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.42V @ 3140A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 10µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50mA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AB, B-PUK |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A430B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | A430B-FT |
6A10G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel