casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V65603S150BQGI8
Número de pieza del fabricante | 71V65603S150BQGI8 |
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Número de parte futuro | FT-71V65603S150BQGI8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V65603S150BQGI8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous ZBT |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 150MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.8ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-CABGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V65603S150BQGI8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V65603S150BQGI8-FT |
IS45S16100C1-7TLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS45S16100E-7TLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS45S16100E-7TLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS45S16400F-7TLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS45S16400F-7TLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS71LD32160WP128-25BPLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS71LD32160WP128-3BPLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
X24C44S
Renesas Electronics America Inc.
X24C44SI
Renesas Electronics America Inc.
6116SA55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel