casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 6116SA55TDB
Número de pieza del fabricante | 6116SA55TDB |
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Número de parte futuro | FT-6116SA55TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6116SA55TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA55TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6116SA55TDB-FT |
IS42S16160D-75EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-75EBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7B
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7B-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7BI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S16160D-7BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel