casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164S35TDB
Número de pieza del fabricante | 7164S35TDB |
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Número de parte futuro | FT-7164S35TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164S35TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S35TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164S35TDB-FT |
CY14B116N-BA25XI
Cypress Semiconductor Corp
CY14B116N-BA25XIT
Cypress Semiconductor Corp
S71VS064RB0AHT4L0
Cypress Semiconductor Corp
S71VS064RB0AHT4L3
Cypress Semiconductor Corp
S71VS128RC0AHK4L0
Cypress Semiconductor Corp
S71VS128RC0AHK4L3
Cypress Semiconductor Corp
S71VS256RD0AHK4L3
Cypress Semiconductor Corp
S71WS256PC0HH3YR0
Cypress Semiconductor Corp
S71WS256PC0HH3YR3
Cypress Semiconductor Corp
S72XS256RE0AHBH20
Cypress Semiconductor Corp
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel