casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164L70TDB
Número de pieza del fabricante | 7164L70TDB |
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Número de parte futuro | FT-7164L70TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164L70TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164L70TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164L70TDB-FT |
7133SA45G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT25SL641-SUE-Y
Adesto Technologies
CY14B116N-BA25XI
Cypress Semiconductor Corp
CY14B116N-BA25XIT
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S71VS064RB0AHT4L0
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S71VS128RC0AHK4L0
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S71VS128RC0AHK4L3
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S71VS256RD0AHK4L3
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S71WS256PC0HH3YR0
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A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
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AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel