casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71256S100TDB
Número de pieza del fabricante | 71256S100TDB |
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Número de parte futuro | FT-71256S100TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71256S100TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256S100TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71256S100TDB-FT |
S25FS064SAGBHB023
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHA023
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHA030
Cypress Semiconductor Corp
S27KL0641DABHB023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL008J70WGN029
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11WEI039
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11WEI049
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHI020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV020
Cypress Semiconductor Corp
S70KL1281DABHV023
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel