casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S27KL0641DABHB023
Número de pieza del fabricante | S27KL0641DABHB023 |
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Número de parte futuro | FT-S27KL0641DABHB023 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL |
S27KL0641DABHB023 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 40ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-FBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S27KL0641DABHB023 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S27KL0641DABHB023-FT |
7143LA90GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA35FB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA35GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA55G
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA55GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143SA90GB
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V2546S100BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V2546S100BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35JGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel