casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V657S10BCG
Número de pieza del fabricante | 70V657S10BCG |
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Número de parte futuro | FT-70V657S10BCG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V657S10BCG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V657S10BCG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V657S10BCG-FT |
71V256S10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256S10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256L20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256L20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256L25Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256L25Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256L25YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256L25YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel