casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V256S10YG
Número de pieza del fabricante | 71V256S10YG |
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Número de parte futuro | FT-71V256S10YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V256S10YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V256S10YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V256S10YG-FT |
71V424L15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel