casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V639S12BCI8
Número de pieza del fabricante | 70V639S12BCI8 |
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Número de parte futuro | FT-70V639S12BCI8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V639S12BCI8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 2.25Mb (128K x 18) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V639S12BCI8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V639S12BCI8-FT |
70T3589S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel