casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70T3589S200BC8
Número de pieza del fabricante | 70T3589S200BC8 |
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Número de parte futuro | FT-70T3589S200BC8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70T3589S200BC8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Tamaño de la memoria | 2Mb (64K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.4V ~ 2.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T3589S200BC8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70T3589S200BC8-FT |
IDT7164L20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L25YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L25YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L35Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L35YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L35YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164L35YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164LS20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164LS20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel