casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 70V631S12BCI8
Número de pieza del fabricante | 70V631S12BCI8 |
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Número de parte futuro | FT-70V631S12BCI8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
70V631S12BCI8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4.5Mb (256K x 18) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.15V ~ 3.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-CABGA (17x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V631S12BCI8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 70V631S12BCI8-FT |
70T3589S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S166BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S200BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3589S200BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S133BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3599S166BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel