casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7006S17G
Número de pieza del fabricante | 7006S17G |
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Número de parte futuro | FT-7006S17G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7006S17G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 17ns |
Tiempo de acceso | 17ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 68-BPGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 68-PGA (29.46x29.46) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7006S17G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7006S17G-FT |
S29GL01GT13TFNV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL02GS12TFSR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL02GS12YPCR29
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10FAI023
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M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
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MPF200T-FCG484E
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5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
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5SGXEB9R3H43C2L
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A42MX24-1PQG160M
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10M16DCU324A7G
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5AGXMA1D6F31C6N
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EP20K100EBC356-3N
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