casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / S29GL01GT13TFNV10
Número de pieza del fabricante | S29GL01GT13TFNV10 |
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Número de parte futuro | FT-S29GL01GT13TFNV10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-T |
S29GL01GT13TFNV10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 130ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL01GT13TFNV10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | S29GL01GT13TFNV10-FT |
SM662PEA-ACS
Silicon Motion, Inc.
SM662PEB-AC
Silicon Motion, Inc.
SM662PEB-ACS
Silicon Motion, Inc.
SM662PEC-ACS
Silicon Motion, Inc.
SM662QEC-ACS
Silicon Motion, Inc.
SM667GE2-AC
Silicon Motion, Inc.
SM667GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
SM667PE2-AC
Silicon Motion, Inc.
SM667PE4-AC
Silicon Motion, Inc.
SM668GE8-AC
Silicon Motion, Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation