casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7006L35GB
Número de pieza del fabricante | 7006L35GB |
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Número de parte futuro | FT-7006L35GB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7006L35GB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 68-BPGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 68-PGA (29.46x29.46) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7006L35GB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7006L35GB-FT |
S29GL01GT11TFIV30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11TFIV40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13DHNV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13DHNV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13DHNV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13DHNV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT13TFNV23
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel