Número de pieza del fabricante | 6A10-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-6A10-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
6A10-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 6A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R6, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-6 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A10-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6A10-G-FT |
PR1003GL-T
Diodes Incorporated
PR1003L-T
Diodes Incorporated
PR1004GL-T
Diodes Incorporated
PR1004L-T
Diodes Incorporated
PR1005GL-T
Diodes Incorporated
PR1005L-T
Diodes Incorporated
PR1006GL-T
Diodes Incorporated
PR1007G-T
Diodes Incorporated
PR1007GL-T
Diodes Incorporated
PR1501S-T
Diodes Incorporated
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel