casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / PR1007G-T
Número de pieza del fabricante | PR1007G-T |
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Número de parte futuro | FT-PR1007G-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PR1007G-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 500ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-41 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PR1007G-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PR1007G-T-FT |
1N4005G-T
Diodes Incorporated
1N4936-T
Diodes Incorporated
1N4001-B
Diodes Incorporated
UF1002-T
Diodes Incorporated
UF1006-T
Diodes Incorporated
1N4005-B
Diodes Incorporated
1N4006G-T
Diodes Incorporated
1N4935-T
Diodes Incorporated
MUR120-T
Diodes Incorporated
SB1100-T
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel