casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / 53JR10E
Número de pieza del fabricante | 53JR10E |
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Número de parte futuro | FT-53JR10E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 50 |
53JR10E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 100 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 3W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | - |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | - |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53JR10E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 53JR10E-FT |
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
WHB750FET
Ohmite
WHB5R0FET
Ohmite
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
M2GL005-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC5VLX330T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5SGXMA3H3F35C4N
Intel