casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / WNBR50FET
Número de pieza del fabricante | WNBR50FET |
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Número de parte futuro | FT-WNBR50FET |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WNBR50FET Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 500 mOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Wirewound |
Caracteristicas | Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±90ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNBR50FET Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | WNBR50FET-FT |
MT5-0R03F1
Riedon
MT5-0R01F2
Riedon
MT5-0R005F4
Riedon
MT5-0R07F1
Riedon
MT5-0R1F1
Riedon
MT4-0R01F1
Riedon
MT4-0R03F1
Riedon
MT4-0R05F1
Riedon
MT4-0R07F1
Riedon
MT4-0R1F1
Riedon
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel