casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / 4N25SR2M
Número de pieza del fabricante | 4N25SR2M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-4N25SR2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N25SR2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 4170Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 20% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 2µs, 2µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 30V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.18V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 500mV |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N25SR2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 4N25SR2M-FT |
H11G45
ON Semiconductor
H11G3SR2M
ON Semiconductor
H11G3M
ON Semiconductor
H11G2SR2M
ON Semiconductor
H11G2SM
ON Semiconductor
H11G2M
ON Semiconductor
H11G1TVM
ON Semiconductor
H11G1SR2M
ON Semiconductor
H11G1SM
ON Semiconductor
H11G1M
ON Semiconductor
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FCSG325
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE15M9C7N
Intel
5SGXMA5N2F45I2N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL125V2-FGG144T
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation