casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / H11G2M
Número de pieza del fabricante | H11G2M |
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Número de parte futuro | FT-H11G2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11G2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 4170Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 1000% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 5µs, 100µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.3V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11G2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H11G2M-FT |
ILQ55-X009T
Vishay Semiconductor Opto Division
ILQ615-1X009
Vishay Semiconductor Opto Division
ILQ615-3X007
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ILQ615-3X007T
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Microsemi Corporation
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