casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2SK3539G0L
Número de pieza del fabricante | 2SK3539G0L |
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Número de parte futuro | FT-2SK3539G0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK3539G0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±7V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12pF @ 3V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMini3-F2 |
Paquete / Caja | SC-85 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3539G0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SK3539G0L-FT |
RJK0852DPB-00#J5
Renesas Electronics America
RJK0853DPB-00#J5
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RJK0854DPB-00#J5
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RJK0856DPB-00#J5
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RJK1051DPB-00#J5
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RJK1052DPB-00#J5
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RJK1055DPB-00#J5
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H5N2522LSTL-E
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H7N1002LS-E
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel