casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2N6667G
Número de pieza del fabricante | 2N6667G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-2N6667G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6667G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Darlington |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 10A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 1mA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
Potencia - max | 2W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6667G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N6667G-FT |
MJW3281A
ON Semiconductor
2SD1624S-TD-E
ON Semiconductor
2SA1419T-TD-E
ON Semiconductor
2SC3649T-TD-H
ON Semiconductor
2SB1123T-TD-E
ON Semiconductor
2SA2202-TD-E
ON Semiconductor
2SD1624T-TD-E
ON Semiconductor
2SA1419T-TD-H
ON Semiconductor
2SB1122S-TD-E
ON Semiconductor
2SB1302S-TD-E
ON Semiconductor
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.