casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / 2SB1122S-TD-E
Número de pieza del fabricante | 2SB1122S-TD-E |
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Número de parte futuro | FT-2SB1122S-TD-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1122S-TD-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
Potencia - max | 500mW |
Frecuencia - Transición | 150MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-243AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PCP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1122S-TD-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SB1122S-TD-E-FT |
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5SGXEA7K3F40C2
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XC6VLX195T-2FFG784C
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