casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 25AA040AT-I/MNY
Número de pieza del fabricante | 25AA040AT-I/MNY |
---|---|
Número de parte futuro | FT-25AA040AT-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25AA040AT-I/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25AA040AT-I/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 25AA040AT-I/MNY-FT |
W25X20CLZPIG TR
Winbond Electronics
W25X40CLZPIG TR
Winbond Electronics
24AA014T-I/MNY
Microchip Technology
34AA02T-I/MNY
Microchip Technology
34LC02T-I/MNY
Microchip Technology
34VL02T/MNY
Microchip Technology
LE25U20AQGW00TXG
ON Semiconductor
24LC64FT-E/MNY
Microchip Technology
24AA256T-E/MNY
Microchip Technology
24AA256T-I/MNY
Microchip Technology
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation