casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 34AA02T-I/MNY
Número de pieza del fabricante | 34AA02T-I/MNY |
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Número de parte futuro | FT-34AA02T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
34AA02T-I/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
34AA02T-I/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 34AA02T-I/MNY-FT |
LE25U81AQETXG
ON Semiconductor
W25Q128JVPIQ TR
Winbond Electronics
24LC64T-E/MNY
Microchip Technology
M24C16-RMC6TG
STMicroelectronics
M24C32-FMC6TG
STMicroelectronics
M93C66-RMC6TG
STMicroelectronics
W25Q128JVPIM TR
Winbond Electronics
W25Q128FWPIG
Winbond Electronics
M24C02-FMC6TG
STMicroelectronics
M24C02-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel