Número de pieza del fabricante | 1N6629 |
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Número de parte futuro | FT-1N6629 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6629 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 880V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 1.4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 880V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | A, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6629 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6629-FT |
JANS1N5615
Microsemi Corporation
JANTXV1N6622
Microsemi Corporation
JANTX1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N6622
Microsemi Corporation
1N5819-1
Microsemi Corporation
1N6759
Microsemi Corporation
1N6760
Microsemi Corporation
DSB1A100
Microsemi Corporation
DSB1A20
Microsemi Corporation
DSB1A30
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel