casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JANS1N5615
Número de pieza del fabricante | JANS1N5615 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-JANS1N5615 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JANS1N5615 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | A, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5615 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANS1N5615-FT |
1N5196UR
Microsemi Corporation
1N5194UR
Microsemi Corporation
1N647UR-1
Microsemi Corporation
1N649UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4247
Microsemi Corporation
JAN1N4245
Microsemi Corporation
JAN1N4153-1
Microsemi Corporation
JAN1N3614
Microsemi Corporation
JAN1N3613
Microsemi Corporation
JAN1N3612
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel