casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6371
Número de pieza del fabricante | 1N6371 |
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Número de parte futuro | FT-1N6371 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6371 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 36V |
Voltaje - Avería (Min) | 42.4V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 54.3V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 23A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-13 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-13 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6371 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6371-FT |
1N5654A
Microsemi Corporation
1N5655
Microsemi Corporation
1N5656
Microsemi Corporation
1N5657
Microsemi Corporation
1N5657A
Microsemi Corporation
1N5658
Microsemi Corporation
1N5658A
Microsemi Corporation
1N5659
Microsemi Corporation
1N5659A
Microsemi Corporation
1N5660
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation