casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N5660
Número de pieza del fabricante | 1N5660 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N5660 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N5660 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | - |
Voltaje - Avería (Min) | - |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | - |
Aplicaciones | - |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5660 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5660-FT |
1.5KA30AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA30HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA33AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA33AL801HE3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA33HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA36A-15HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA36AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA36HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA36L6600HE3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA39AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel