Número de pieza del fabricante | 1N6080 |
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Número de parte futuro | FT-1N6080 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6080 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 37.7A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | A, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 155°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6080 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6080-FT |
1N6625
Microsemi Corporation
1N6625E3
Microsemi Corporation
1N6626
Microsemi Corporation
1N6627
Microsemi Corporation
1N6628
Microsemi Corporation
1N6629
Microsemi Corporation
1N6630
Microsemi Corporation
1N6631
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1N5804US
Microsemi Corporation
1N5802US
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