casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5818M-13
Número de pieza del fabricante | 1N5818M-13 |
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Número de parte futuro | FT-1N5818M-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5818M-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete del dispositivo del proveedor | MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -60°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5818M-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5818M-13-FT |
FR804
Diodes Incorporated
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Microsemi Corporation
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel