Número de pieza del fabricante | MBR1030 |
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Número de parte futuro | FT-MBR1030 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1030 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 840mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 400pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1030 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBR1030-FT |
B380-13-F
Diodes Incorporated
ES3B-13-F
Diodes Incorporated
B320-13-F
Diodes Incorporated
B330-13-F
Diodes Incorporated
B370-13-F
Diodes Incorporated
S3A-13-F
Diodes Incorporated
S5KC-13-F
Diodes Incorporated
S5MC-13-F
Diodes Incorporated
RS3G-13-F
Diodes Incorporated
S3M-13-F
Diodes Incorporated
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel