casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5817M-13
Número de pieza del fabricante | 1N5817M-13 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N5817M-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5817M-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 450mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete del dispositivo del proveedor | MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -60°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817M-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5817M-13-FT |
FR803
Diodes Incorporated
FR804
Diodes Incorporated
FR805
Diodes Incorporated
MBR1030
Diodes Incorporated
MBR1040
Diodes Incorporated
MBR1630
Diodes Incorporated
MBR1640
Diodes Incorporated
MBR730
Diodes Incorporated
MBR740
Diodes Incorporated
SBL1030
Diodes Incorporated
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel