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Microsemi Corporation 1N5809US

Número de pieza de MFG
1N5809US
Cantidad disponible
68050 Piezas
Precio de referencia
USD 9.04
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Fecha de envío
Podemos enviar hoy
fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Diodos - Rectificadores - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
1N5809US Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) 100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) 3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 875mV @ 4A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) 30ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr 5µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja SQ-MELF, B
Paquete del dispositivo del proveedor B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamiento - Unión -65°C ~ 175°C
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1N5809US Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 1N5809US-FT

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