Número de pieza del fabricante | 1N5807 |
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Número de parte futuro | FT-1N5807 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5807 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 875mV @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | B, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5807 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5807-FT |
DSB1A20
Microsemi Corporation
DSB1A30
Microsemi Corporation
DSB1A40
Microsemi Corporation
DSB1A50
Microsemi Corporation
DSB1A60
Microsemi Corporation
DSB1A80
Microsemi Corporation
DSB5818
Microsemi Corporation
DSB5820
Microsemi Corporation
DSB5821
Microsemi Corporation
DSB5822
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel