Número de pieza del fabricante | DSB1A60 |
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Número de parte futuro | FT-DSB1A60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB1A60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 690mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB1A60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DSB1A60-FT |
HU20260
Microsemi Corporation
HU10260
Microsemi Corporation
HS24515E3
Microsemi Corporation
HS243100R
Microsemi Corporation
HS243100
Microsemi Corporation
HS24230
Microsemi Corporation
HS24045
Microsemi Corporation
HS24040
Microsemi Corporation
HS24040R
Microsemi Corporation
HS18230
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel