Número de pieza del fabricante | 1N5619 |
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Número de parte futuro | FT-1N5619 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5619 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 250ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 25pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | A, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5619 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5619-FT |
CDS5711UR-1
Microsemi Corporation
LSM145 MELF
Microsemi Corporation
JANS1N5809
Microsemi Corporation
JANS1N5552
Microsemi Corporation
1N5809
Microsemi Corporation
APTDF500U40G
Microsemi Corporation
APTDF500U20G
Microsemi Corporation
APTDF450U60G
Microsemi Corporation
APTDF430U100G
Microsemi Corporation
APTDF400U120G
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel