casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1120-8R2M
Número de pieza del fabricante | 1120-8R2M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1120-8R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1120 |
1120-8R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 11.4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.810" Dia (20.57mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-8R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1120-8R2M-FT |
1130-121K
Bourns Inc.
1130-122K
Bourns Inc.
1130-150K
Bourns Inc.
1130-151K
Bourns Inc.
1130-152K
Bourns Inc.
1130-180K
Bourns Inc.
1130-181K
Bourns Inc.
1130-182K
Bourns Inc.
1130-1R0M
Bourns Inc.
1130-1R2M
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel