casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1130-1R2M
Número de pieza del fabricante | 1130-1R2M |
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Número de parte futuro | FT-1130-1R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1130 |
1130-1R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 21A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-1R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1130-1R2M-FT |
1140-121K
Bourns Inc.
1140-122K
Bourns Inc.
1140-123K
Bourns Inc.
1140-150K
Bourns Inc.
1140-151K
Bourns Inc.
1140-152K
Bourns Inc.
1140-153K
Bourns Inc.
1140-180K
Bourns Inc.
1140-181K
Bourns Inc.
1140-181K-RC
Bourns Inc.
EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
Intel
EPF10K200SRC240-3
Intel