casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1110-2R2M-RC
Número de pieza del fabricante | 1110-2R2M-RC |
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Número de parte futuro | FT-1110-2R2M-RC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-2R2M-RC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 9A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-2R2M-RC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1110-2R2M-RC-FT |
1130-2R2M
Bourns Inc.
1130-2R2M-RC
Bourns Inc.
1130-2R7M
Bourns Inc.
1130-330K
Bourns Inc.
1130-331K
Bourns Inc.
1130-332K
Bourns Inc.
1130-390K
Bourns Inc.
1130-391K
Bourns Inc.
1130-392K
Bourns Inc.
1130-3R3M
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel