casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1130-2R2M
Número de pieza del fabricante | 1130-2R2M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1130-2R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1130 |
1130-2R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 21A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-2R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1130-2R2M-FT |
1140-1R8M
Bourns Inc.
1140-220K
Bourns Inc.
1140-221K
Bourns Inc.
1140-222K
Bourns Inc.
1140-270K
Bourns Inc.
1140-271K
Bourns Inc.
1140-271K-1-RC
Bourns Inc.
1140-272K
Bourns Inc.
1140-2R2M
Bourns Inc.
1140-2R7M
Bourns Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel